47. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
- 1MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
- 2GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
- 3게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT보다 구동하기 쉽다.
- 4BJT처럼 on-drop이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수있다.
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